物探方法應用（二）
物探方法應用（二）
良導電性地質體在氧化還原環境下形成的地面自然電位電場剖面分布示意圖。良導體頂部在自然條件下被氧化，得到電子形成負電荷界面，負電荷電力線從頂部匯聚，向導電體內聚集;同時良導體底部物質被還原，失去電子形成正電荷界面，電荷形成的電力線從底部向四周輻射，到良導體頂端形成封閉回路。因此在地面觀測自然電位時，良導地質體上方觀測到負電荷富集形成的負電位異常。隨著觀測點漸漸遠離地質體，電荷層影響作用減弱，地面上觀測到的電位趨于正常值。一般說來，自然電位負異常峰值位置反映地下良導體的水平投影。以上是自然電位形成的物理機制模型，也是利用物探異常找礦的理論根據。
自然電位形成機制模型
綜合物探精測剖面(30號線)反映出測區物探異常突出、清晰、明顯，峰值較高，異常穩定，趨勢性好，綜合異常一致性較強。
中間梯度視電阻率剖面：視電阻率ρs在300號點和在1050號點附近均呈低阻，最小值分別為：450Ω·m和350Ω·m，異常清晰明顯。
自然電位剖面：在300號點和1050號點附近均呈負電位，最低值分別為：-26OmV和-250mV，異常清晰穩定。
激電異常視極化率剖面;在300號點和1050號點附近均呈高極化率異常，異常峰值分別為：15.5%和14.5%，異常清晰穩定。
瞬變電磁法TEM剖面：有多個斷面電阻異常段，200號點和620號點為視電阻率低阻異常段，異常低值小于50Ω·m;250號點和500號點為視電阻率高阻段，異常高值大于400Ω·m。低阻異常反映地下可能存在鋅礦(化)體等良導地質體，高阻異常則可能反映巖體和圍巖等高阻地質體;斷面異常趨勢走向可以初步判斷地質體的大致走向，為進一步了解中深部地質體分布特征提供重要指示。綜上所述，并結合本區物性特征，推測在300號點附近和1050號點附近獲得的物探綜合異常(低阻、低電位，高極化率和低電阻斷面)段的中深部，可能存在較好的礦化體。
